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新光電化學(xué)系統(tǒng)∶高效兼低成本地轉(zhuǎn)化太陽能為氫

 

氫氣因產(chǎn)能過程零排放而成為未來環(huán)保燃料的寵兒,利用太陽能有效地產(chǎn)氫的光電化學(xué)近年因而成為科研界的熱門課題。香港城市大學(xué)(香港城大)的研究人員便成功研發(fā)出新的光電化學(xué)系統(tǒng),可將轉(zhuǎn)化效率由一般的3%大幅提升至近9%,而且穩(wěn)定性最長(zhǎng)超過150小時(shí),是同類系統(tǒng)的最高紀(jì)錄,成本亦大減一半

利用太陽能結(jié)合半導(dǎo)體材料作為催化劑,進(jìn)行被喻為人工光合作用的光電化學(xué)反應(yīng),是將水分解為氧氣及氫氣,環(huán)保地制氫的方法之一。不過礙于技術(shù)所限,太陽能轉(zhuǎn)化氫氣的效率一般甚低,加上性能不穩(wěn)定和成本昂貴,使光電化學(xué)系統(tǒng)未能普及應(yīng)用。

傳統(tǒng)光電化學(xué)系統(tǒng)半導(dǎo)體易被腐蝕

本身是光電工程學(xué)專家的香港城大材料科學(xué)及工程學(xué)系教授何志浩教授指出,在眾多用作水分解的光電化學(xué)物料中,三五族半導(dǎo)體(III-V semiconductors)最受注目,特別是InGaP(磷化銦鎵)和GaAs(砷化鎵)。因?yàn)檫@兩種化合物具有極佳的光物理特性,但缺點(diǎn)是性能不穩(wěn)定。他說:“三五族半導(dǎo)體在水分解的過程中,無可避免會(huì)出現(xiàn)化學(xué)反應(yīng)而被腐蝕,因而令系統(tǒng)急速失效。”

何教授表示,目前差不多所有用硅與三五族半導(dǎo)體的光電化學(xué)系統(tǒng),都沿用傳統(tǒng)的單面元件結(jié)構(gòu),即是將所有主要的元件包括光吸收層、表面保護(hù)層及催化劑集合在光電化學(xué)裝置的其中一面,而背面則多用作電路連接,但問題因而衍生。他解釋,由于表面保護(hù)層及催化劑都在光吸收層之上,兩者造成的光反射明顯阻礙光的吸收,并在水分解過程中導(dǎo)致光電流的下降,而且部分光子亦會(huì)在經(jīng)過GaAs基板時(shí)流失。

重組光吸收層及催化劑層的位置

針對(duì)以上現(xiàn)有光電化學(xué)系統(tǒng)不足之處,何教授與研究團(tuán)隊(duì)花了超過3年時(shí)間,設(shè)計(jì)出一個(gè)新系統(tǒng),既化解表面保護(hù)層及催化劑阻礙光吸收的矛盾,同時(shí)降低成本和提高系統(tǒng)穩(wěn)定性,兼大幅提升太陽能轉(zhuǎn)化氫氣的效率

有關(guān)研究成果早前在科學(xué)期刊《自然通訊》上發(fā)表,題為An efficient and stable photoelectrochemical system with 9% solar-to-hydrogen conversion efficiency via InGaP/GaAs double junction

設(shè)計(jì)的創(chuàng)新之處在于重組光吸收層、催化劑及保護(hù)層的位置,把本來置于最表面的催化劑層,置于新系統(tǒng)的最底,可以反射任何未被吸收的長(zhǎng)波長(zhǎng)光子,增加了裝置對(duì)長(zhǎng)波長(zhǎng)光子的吸收。新設(shè)計(jì)亦特別加入抗反射層,降低表面反射,提高光利用率。

The opaque catalytic reflection (Rc) and protection layer reflection (Rp) significantly block light absorption.
圖左為傳統(tǒng)光電化學(xué)系統(tǒng)單面元件結(jié)構(gòu)圖:催化物的光反射(Rc)及表面保護(hù)層的光反射(Rp)明顯阻礙光的吸收,在基板部分亦會(huì)流失部分光子(T)。圖右為創(chuàng)新系統(tǒng)的元件結(jié)構(gòu)圖:重新安排光吸收層、催化物及保護(hù)層的位置,亦特別加入一層抗反射層(ARC)。(圖片來源: Nat Commun 10, 5282 (2019) doi:10.1038/s41467-019-12977-x)

 

研究結(jié)果顯示,在堿性電解液中運(yùn)用新研發(fā)的光電化學(xué)系統(tǒng),可將太陽能制氫的效率由一般的3%大幅提升至約9%,而且穩(wěn)定性創(chuàng)下同類系統(tǒng)的最高紀(jì)錄:最長(zhǎng)超過150小時(shí)。相反,大多同類系統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置會(huì)在幾分鐘內(nèi)失效,較長(zhǎng)的都只能維持幾個(gè)小時(shí)而已。

剝離外延層以重用昂貴基板

另一方面,用以生長(zhǎng)出半導(dǎo)體薄膜的GaAs基板十分昂貴,一般佔(zhàn)系統(tǒng)成本的76%。研究團(tuán)隊(duì)便採用外延層剝離(Epitaxial Lift-Off, ELO)技術(shù)解決高成本問題。外延(epitaxy)是一種制造半導(dǎo)體薄膜的技術(shù),在原有晶片(基板)上生長(zhǎng)出結(jié)晶以制成新的半導(dǎo)體層。例如利用GaAs基板,就可以生長(zhǎng)出用以吸光的III-V族半導(dǎo)體外延層。

為解決GaAs基板昂貴的高成本問題,團(tuán)隊(duì)利用ELO技術(shù)將半導(dǎo)體層由GaAs基板剝離之后,再轉(zhuǎn)移到鎳(Ni)基板上進(jìn)行光電化學(xué)反應(yīng),將水分解成氧氣和氫氣。而原有的GaAs基板則可以重用,再生長(zhǎng)出新的半導(dǎo)體外延層,繼而剝離并轉(zhuǎn)移。

ELO
團(tuán)隊(duì)用ELO技術(shù)將半導(dǎo)體層由GaAs基板剝離之后,再轉(zhuǎn)移到鎳(Ni)基板上。(圖片來源: Nat Commun 10, 5282 (2019) doi:10.1038/s41467-019-12977-x)

 

何教授說:“使用ELO技術(shù)理論上可以轉(zhuǎn)移剝離層至任何表面,而且透過重用GaAs基板,可令成本降低超過五成。”他指出,使用ELO技術(shù)的好處還包括令表面保護(hù)層材料的選擇多樣化(可用金屬、金屬氧化物等)、選取電催化材料時(shí)無需再顧慮會(huì)否阻光,以及可以達(dá)到最大程度的光子吸收。

novel photoelectrochemical system
何志浩教授與團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出新的光電化學(xué)系統(tǒng),可將太陽能轉(zhuǎn)化氫效率大幅提升至近9%,而且穩(wěn)定性最長(zhǎng)超過150小時(shí),是同類系統(tǒng)的最高紀(jì)錄,成本亦大減一半。

 

由于運(yùn)用剝離的技術(shù)可以充分運(yùn)用裝置的正面及背面,研究團(tuán)隊(duì)更成功制作出首個(gè)有近6%轉(zhuǎn)化效率的"人工葉"系統(tǒng),即無需使用額外的能源已經(jīng)可以分解水成為氧氣和氫氣。何教授說:"只要有適當(dāng)?shù)漠a(chǎn)氫跟產(chǎn)氧電催化劑,新系統(tǒng)理論上轉(zhuǎn)化效率能達(dá)到16%,高于美國能源部就光電化學(xué)技術(shù)所要求、可商業(yè)化的10%效率。"

研究團(tuán)隊(duì)亦監(jiān)測(cè)了新系統(tǒng)分解水的情況,發(fā)現(xiàn)氫和氧產(chǎn)生的速率保持穩(wěn)定,證明半導(dǎo)體層沒有被腐蝕。團(tuán)隊(duì)甚至發(fā)現(xiàn),用ELO技術(shù)剝離出來的半導(dǎo)體薄膜可以彎曲至直徑2毫米,仍無損其水分解功能,未來或可用于柔性電子產(chǎn)品中。

研究人員測(cè)試新的「人工葉」系統(tǒng)的效能,證明分解水為氫和氧的效率將近6%。

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團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)用ELO技術(shù)剝離出來的半導(dǎo)體薄膜可以彎曲至直徑2毫米。(圖片來源: Nat Commun 10, 5282 (2019) doi:10.1038/s41467-019-12977-x)

 

何教授是論文的通訊作者。而論文的共同第一作者是現(xiàn)為荷蘭基礎(chǔ)能源研究所博士後研究員的Purushothaman Varadhan博士,和現(xiàn)為威斯康辛大學(xué)麥迪遜分校博士後研究員的傅惠君博士。何教授表示,團(tuán)隊(duì)正在香港城大內(nèi)建造較大型及可實(shí)際使用的系統(tǒng)原型,研究大量生產(chǎn)的可行性。團(tuán)隊(duì)正於美國及中國申請(qǐng)將技術(shù)注冊(cè)為專利。
這項(xiàng)研究得到阿卜杜拉國王科技大學(xué)的支持。

DOI number: 10.1038/s41467-019-12977-x

本文已于 “香港城大研創(chuàng)” 微信公眾號(hào)發(fā)布。
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